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硅-硅鍵合片

當(dāng)外延層厚度大于50um,硅-硅鍵合片具有更好的成本優(yōu)勢。
   
對于高壓器件,例如MOSFET和IGBT來說,是可行的替代材料。
   
良好的TEM和SRP測試結(jié)果,確保硅-硅鍵合片的質(zhì)量。

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